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特許業務法人平田国際特許事務所は 「発明の本質」 の把握を重要視しています

記憶に残る特許〜 シリーズ 〜

〔1〕青色LED ノーベル賞の偉業

赤崎勇先生 及び 天野浩先生の青色LED(Light Emitting Diode)の発明に関する
ノーベル賞の偉業は、永遠に評価されるべきものであると存じます。
両先生の青色LEDに関する発明は多数ありますが、その中から特許無効訴訟をサバイバルした2件の特許を選んで、ここに謹んでご紹介致します。

(1)特許第2623466号
  (ア)発明者: 赤崎勇先生、他5名
  (イ)特許時の【請求項1】の記載

【請求項1】
 サファイア基板と、サファイア基板上に有機金属化合物気相成長法により形成された窒化ガリウム系化合物半導体(AlXGa1-XN;X=0を含む)の気相成長膜を有する発光素子であって、
 前記気相成長膜は、前記気相成長時に導入されたシリコンを含むことにより抵抗率が3×10-1〜8×10-3Ωcmであることを特徴とする発光素子。


(2)特許第2737053号
  (ア)発明者: 赤崎勇先生 及び 天野浩先生、他2名
  (イ)特許時の【請求項1】の記載

【請求項1】
 禁制帯幅の比較的小さな半導体から成る発光層を挟むようにその両側に各々禁制帯幅の大きなn型半導体層及びp型半導体層を接合した窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、
 基板と、
 前記基板上にn型半導体層の成長温度よりも低い温度で形成された緩衝層と、
 前記緩衝層上に形成され、シリコン(Si)をドープした窒化ガリウム系化合物半導体から成るn型半導体層と、
 前記n型半導体層の上に形成されたノンドープの窒化ガリウム系化合物半導体から成る発光層と、
 前記発光層の上に形成され、マグネシウム(Mg)をドープし、低抵抗化処理した窒化ガリウム系化合物半導体から成るp型半導体層とを有することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。


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